[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210305283.1 | 申请日： | 2012-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN103633122A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 陈建志;林正基;连士进;吴锡垣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 发明公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括衬底、装置区、第一掺杂区与栅结构；第一掺杂区形成在邻近装置区的衬底中；栅结构位于第一掺杂区上；第一掺杂区与栅结构是互相重叠的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一衬底；一装置区；一第一掺杂区，形成在邻近该装置区的该衬底中；以及一栅结构，位于该第一掺杂区上，其中该第一掺杂区与该栅结构是互相重叠的。
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