[发明专利]掩膜板、采用掩膜板制作阵列基板的方法、阵列基板有效
申请号: | 201210306678.3 | 申请日: | 2012-08-24 |
公开(公告)号: | CN102819183A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 廖燕平;吕敬;邵喜斌;尹大根;王英;张振宇 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/60 | 分类号: | G03F1/60;G03F7/20 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;赵爱军 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种掩膜板、采用掩膜板制作阵列基板的方法、阵列基板,属于液晶显示领域。其中,该掩膜板应用于拼接曝光制作阵列基板,所述掩膜板包括相互平行的2n+1个掩膜图形,每个掩膜图形包括有对应阵列基板的数据信号线的遮光图案,其中,相邻掩膜图形之间的所述遮光图案为断续的,位于掩膜板中间的掩膜图形两侧的所述遮光图案为非对称的。本发明的技术方案能实现数据信号线在阵列基板中间断开,从而把一块完整的显示屏从驱动上分成相独立的上半部分和下半部分,实现在像素充电时间一定的条件下,提高液晶显示面板的图像扫描帧速,或者在液晶显示面板的图像扫描帧速一定的条件下,增大像素充电时间。 | ||
搜索关键词: | 掩膜板 采用 制作 阵列 方法 | ||
【主权项】:
一种掩膜板,应用于拼接曝光制作阵列基板,其特征在于,所述掩膜板包括依次排布、相互平行的2n+1个掩膜图形,n为任一自然数,每个掩膜图形包括有对应阵列基板的数据信号线的遮光图案,其中,相邻掩膜图形之间的所述遮光图案为断续的,位于掩膜板中间的掩膜图形两侧的所述遮光图案为非对称的。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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