[发明专利]氧化物介质层经时绝缘击穿可靠性测试方法有效
| 申请号： | 201210312690.5 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102820241A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 张博 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明的氧化物介质层经时绝缘击穿可靠性测试方法包括：在多个测试期期间，对测试结构施加应力加速电压，并且测试氧化物介质的漏电流监测值；以及在多个注入期期间，不对测试结构施加应力加速电压，而是向待测试的氧化物介质层注入应力加速电流；其中，所述多个测试期与多个注入期相互交错。在所述多个测试期期间对测试结构施加的应力加速电压在各自的测试期内保持恒定，并且之前的测试期期间对测试结构施加的应力加速电压小于后续的测试期期间对测试结构施加的应力加速电压。本发明提供了一种更精确的氧化物介质层经时绝缘击穿可靠性测试方法。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 介质 层经时 绝缘 击穿 可靠性 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物介质层经时绝缘击穿可靠性测试方法，其特征在于包括：在多个测试期期间，对测试结构施加应力加速电压，并且测试氧化物介质的漏电流监测值；以及在多个注入期期间，不对测试结构施加应力加速电压，而是向待测试的氧化物介质层注入应力加速电流；其中，所述多个测试期与多个注入期相互交错。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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