[发明专利]PMOS晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201210312944.3 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103632975A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 陈勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 种PMOS晶体管的制作方法，包括：提供衬底，所述衬底中预定形成源区及漏区的区域形成有sigma形凹槽；向所述sigma形凹槽内填充第一硅锗材料层，所述第一硅锗材料层未填满所述sigma形凹槽；去除所述sigma形凹槽底部的部分厚度的第一硅锗材料层；向所述sigma形凹槽内填充第二硅锗材料层至填满停止，所述第二硅锗材料层的锗的含量高于所述第一硅锗材料层的锗的含量。此外，本发明还提供了上述制作方法制作的PMOS晶体管。采用本发明的技术方案，可以提高PMOS晶体管的载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | pmos 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种PMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底中预定形成源区及漏区的区域形成有sigma形凹槽；向所述sigma形凹槽内填充第一硅锗材料层，所述第一硅锗材料层未填满所述sigma形凹槽；去除所述sigma形凹槽底部的部分厚度的第一硅锗材料层；向所述sigma形凹槽内填充第二硅锗材料层至填满停止，所述第二硅锗材料层的锗的含量高于所述第一硅锗材料层的锗的含量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
