[发明专利]光学邻近修正方法有效
| 申请号： | 201210312992.2 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103631084A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 王辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 发明提供一种光学邻近修正方法，所述方法包括：提供测试掩模板，所述测试掩模板上形成有至少一个第一测试图形；以所述测试掩模板进行曝光，形成与所述第一测试图形相对应的曝光图形；基于曝光图形对第一测试图形进行调整以形成第二测试图形，使所述第二测试图形相对于第一测试图形与曝光图形更相近；基于所述第二测试图形与所述曝光图形进行修正。本发明光学邻近修正方法具有较高的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 邻近 修正 方法 | ||
【主权项】：
一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：提供测试掩模板，所述测试掩模板上形成有至少一个第一测试图形；以所述测试掩模板进行曝光，形成与所述第一测试图形相对应的曝光图形；基于所述曝光图形对第一测试图形进行调整以形成第二测试图形，使所述第二测试图形相对于第一测试图形与曝光图形更相近；基于所述第二测试图形与所述曝光图形进行修正。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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