[发明专利]一种GaN外延或衬底的制作方法无效
| 申请号： | 201210315724.6 | 申请日： | 2012-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103682016A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 刘继全;季伟;许升高 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN外延或衬底的制作方法，包括以下步骤：1）在硅衬底上生长缓冲层；2）光刻胶涂布和曝光，在缓冲层上形成定义图形；3）以光刻胶为掩模，刻蚀缓冲层和硅衬底，使硅衬底内部形成多个孔洞；4）去除光刻胶；5）热氧化硅衬底的孔洞内表面，使其被氧化硅覆盖；6）GaN外延生长。该方法可以有效的缓解GaN应力，防止GaN龟裂以及GaN晶格缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 外延 衬底 制作方法 | ||
【主权项】：
一种GaN外延的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在硅衬底上生长缓冲层；2）光刻胶涂布和曝光，在缓冲层上形成定义图形；3）以光刻胶为掩模，刻蚀缓冲层和硅衬底，使硅衬底内部形成多个孔洞；4）去除光刻胶；5）热氧化硅衬底的孔洞内表面，使其被氧化硅覆盖；6）GaN外延生长。
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