[发明专利]基板处理装置和成膜装置有效
| 申请号： | 201210315948.7 | 申请日： | 2012-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102965643A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 榎本忠;大泉行雄;本间学 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/46 | 分类号： | C23C16/46;H01L21/67;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置和成膜装置。基板处理装置包括：处理容器；旋转台，其设于上述处理容器内，在其一面侧载置基板，并且该旋转台能够旋转，在用于载置上述基板的基板载置区域设有基板载置部，该基板载置部以热容量小于其他区域的热容量的方式构成；加热部，其用于从上述旋转台的另一面侧加热上述基板。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，其中，该基板处理装置包括：处理容器；旋转台，其设于上述处理容器内，在其一面侧载置基板，并且该旋转台能够旋转，在用于载置上述基板的基板载置区域设有基板载置部，该基板载置部以热容量小于作为其他区域的旋转台主体的热容量的方式构成；加热部，其用于从上述旋转台的另一面侧加热上述基板。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
