[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201210317296.0 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN103137674A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 久保昌彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张靖琳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明要解决的问题是提供一种抑制泄露电流的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具有第1导电型的半导体基板、设于第1绝缘膜上并在第1开口部和第2开口部之间具有至少一个以上的第3开口部的第2绝缘膜。实施方式的半导体装置具有：第1导电型的半导体基板、贯通第1绝缘膜及第2绝缘膜并与第1半导体层相接的第2主电极、具有贯通第1绝缘膜及第2绝缘膜并与第2半导体层相接的部分和贯通第2绝缘膜并与第1绝缘膜相接的部分的第3主电极。实施方式的半导体装置的制造方法具有将与第1半导体层相对的第1开口部及与第2半导体层相对的第2开口部设于第1绝缘膜的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：第1导电型的半导体基板；设于所述半导体基板的一个面侧的第2导电型的第1半导体层；设于所述第1半导体层的第1导电型的第2半导体层；具有以与所述第1半导体层相对的方式设置的第1开口部及以与所述第2半导体层相对的方式设置的第2开口部、并设于所述半导体基板的一个面的第1绝缘膜；设于所述第1绝缘膜上并在所述第1开口部和所述第2开口部之间具有至少一个以上第3开口部的第2绝缘膜；设于所述半导体基板的另一面的第1主电极；设于所述第1开口部的第2主电极；以及设于所述第2开口部和所述第3开口部的第3主电极。
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