[发明专利]于基底中形成图案的方法有效
申请号: | 201210320119.8 | 申请日: | 2012-09-03 |
公开(公告)号: | CN103681231A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 蒋汝平 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 赵根喜;冯志云 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种于基底中形成图案的方法,其是先提供具有图案区域的基底。然后,在图案区域中,于基底上形成多个条状掩模层。在这些条状掩模层中,至少两个相邻的条状掩模层分别具有突出部,且这两个突出部面向彼此。接着,于条状掩模层的侧壁上形成间隙壁,其中间隙壁的厚度大于两个突出部之间的距离的一半。而后,移除条状掩模层。继之,以间隙壁为掩模,进行蚀刻工艺,以于基底中形成沟渠。之后,于沟渠中填入材料。本发明可有效地降低生产成本以及减少工艺步骤。 | ||
搜索关键词: | 基底 形成 图案 方法 | ||
【主权项】:
一种于基底中形成图案的方法,包括:提供具有图案区域的基底;在所述图案区域中,于所述基底上形成多个条状掩模层,在所述条状掩模层中,至少两个相邻的所述条状掩模层分别具有突出部,且所述突出部面向彼此;于所述条状掩模层的侧壁上形成间隙壁,其中所述间隙壁的厚度大于两个所述突出部之间的距离的一半;移除所述条状掩模层;以所述间隙壁为掩模,进行蚀刻工艺,以于所述基底中形成沟渠;以及于沟渠中填入材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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