[发明专利]下降法生长宽板状锗酸铋晶体的生长装置与方法有效
| 申请号： | 201210322557.8 | 申请日： | 2012-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102828230A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 倪海洪;王绍华;周里华;刘光煜;陈俊锋;赵鹏;袁兰英;宋桂兰;齐雪君;张健 | 申请（专利权）人： | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/32;C30B29/64 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭辉 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种下降法生长宽板状锗酸铋晶体的生长装置与方法。本发明通过改变生长装置中上隔砖7的形状以及活动调节生长装置的横向宽度和高温区的高度，并设计出超大尺寸的铂金坩埚和氧化铝引下坩埚，利用长晶体作为籽晶横向接种，调整均匀的横向温度场和合适的纵向温度梯度，制备出宽板状、高质量的锗酸铋无机闪烁晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 下降 生长 宽板状锗酸铋 晶体 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种下降法生长宽板状锗酸铋晶体的生长装置，所述装置包括：发热体（6）、控温管（5）、高温区（4）、上隔砖（7）、梯度区（8）、可变高度的炉帽（10）、可活动的炉腔保温材料（11）、导轨（12）、耐火保温材料（3）、低温区（9）、保温棉（2）和炉壳（1）；其中，所述生长装置的炉膛横向宽度根据生长晶体尺寸进行可活动的调节。
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