[发明专利]锗、三五族半导体材料衬底上制备FinFET的方法

摘要

本发明公开了一种锗、三五族半导体材料衬底上制备FinFET的方法，主要的工艺流程包括：形成源漏和连接源漏的细条状的图形结构；形成氧化隔离层；形成栅结构和源漏结构；形成金属接触和金属互联。采用此方法可以在锗、三五族半导体材料衬底上很容易的形成FinFET，而且整个工艺流程虽然在锗、三五族半导体材料上完成，但是完全与常规硅基超大规模集成电路制造技术类似，制备工艺具有简单、方便、周期短的特点。此外，采用此工艺制备出的FinFET最小宽度可以控制在二十纳米左右，多栅结构可以提供很好的栅控制能力，非常适合于制备超短沟器件，进一步缩小器件尺寸。且采用本发明制备形成的FinFET，具有较低的功耗。

主权项

一种锗、三五族半导体材料衬底上制备FinFET的方法，包括如下步骤：a)形成源漏和连接源漏的细条状的图形结构i.在锗、三五族衬底上采用离子增强化学气相淀积氧化硅、氮化硅作为硬掩膜；ii.通过一次电子束光刻，刻蚀氮化硅、氧化硅工艺，在硬掩膜上形成源漏和连接源漏的Fin条的图形结构；iii.去掉电子束光刻胶；iv.各向异性干法刻蚀锗、三五族衬底，将硬掩膜上的图形结构转移到衬底材料上；b)形成氧化隔离层的方案i.采用离子增强化学气相淀积一层新的氧化硅，作为氧化隔离层；ii.CMP化学机械抛光，使氧化硅平坦化，并且停止在Fin条顶部氮化硅硬掩膜表面；iii.利用湿法腐蚀回刻新淀积的氧化硅直Fin条露出设计的高度作为沟道区域；c)形成栅结构和源漏结构i.ALD淀积一层栅介质层；ii.PVD淀积一层栅材料；iii.通过电子束光刻，刻蚀栅材料，形成栅线条；iv.通过离子增强化学汽相淀积以及回刻；v.进行离子注入和退火，形成源漏结构。