[发明专利]远红外线材料分析及制造方法无效
申请号: | 201210329031.2 | 申请日: | 2012-09-07 |
公开(公告)号: | CN102998320A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 陈智成;廖健宏 | 申请(专利权)人: | 远东科技大学 |
主分类号: | G01N23/22 | 分类号: | G01N23/22;G01N23/20;G01N1/28 |
代理公司: | 厦门市诚得知识产权代理事务所(普通合伙) 35209 | 代理人: | 赖开慧 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种远红外线材料的分析及制造方法,分析方法包括有:A.对一电气石加热至出现莫来石结晶相之工作温度;B.在该电气石上取得一观察剖面;C.在该观察剖面上区隔出莫来石结构区域与非莫来石结构区域;D.侦测该非莫来石结构区域的X光能谱,以确认该非莫来石结构区域所含成份内容;E.对该观察剖面进行结晶相分析,获得非莫来石结构区域的结晶相信息;F.根据所获得的非莫来石结构区域之成份与结晶相信息,作为调配远红外线材料的参考信息;其制造方法则在于选择相符成份,再将该成份加热至符合步骤E的结晶相,借以制作一远红外线材料。 | ||
搜索关键词: | 红外线 材料 分析 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种远红外线材料分析方法,包括下列步骤:A.对一电气石加热至出现莫来石结晶相工作温度; B.在该电气石上取得一观察剖面; C.在该观察剖面上区隔出莫来石结构区域与非莫来石结构区域; D.侦测该非莫来石结构区域的X光能谱,以确认该非莫来石结构区域之所含成份内容; E.对该观察剖面进行结晶相分析,获得非莫来石结构区域的结晶相信息; F.根据步骤D与步骤E所获得非莫来石结构区域之成份与结晶相信息,作为调配远红外线材料的参考信息。
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