[发明专利]采用应力记忆技术制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供一种采用应力记忆技术制造半导体器件的方法。所述方法包括：提供支撑栅电极的衬底；通过执行预非晶化注入（PAI）工艺并且在PAI工艺中或与PAI工艺分离地将C或N注入源/漏区中而将位于栅电极两侧的源/漏区非晶化和掺杂；在衬底上形成引力诱导层以覆盖非晶化的源/漏区；以及随后通过对衬底进行退火而使源/漏区再结晶。然后，可去除应力诱导层。此外，在源/漏区已经非晶化之后可将C或N注入整个源/漏区中，或者仅注入非晶化的源/漏区的上部分。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供包括衬底以及在所述衬底的上部的栅电极的结构，所述栅电极具有相反的两侧；将掺杂非晶源/漏区分别形成至所述栅电极的所述两侧，使得所述非晶源/漏区越过所述衬底的沟道区而彼此间隔开；以及随后对所述衬底进行退火，以使所述掺杂非晶源/漏区再结晶，并且其中，形成所述掺杂非晶源/漏区包括：将杂质注入所述衬底中，所述杂质减小在所述衬底的退火期间在不同的晶向上晶体生长速率之间的差异。