[发明专利]非易失性半导体存储器器件

摘要

本发明涉及非易失性半导体存储器器件。一种非易失性半导体存储器器件包括：基元阵列层，包括第一线、存储器基元和第二线以及控制电路。当执行用于设定所述存储器基元到所述低电阻状态的设定操作时，直到存储器基元的电阻值变为低于预定电阻值为止，所述控制电路重复：向存储器基元施加用于设定的第一电压；以及验证读取以验证存储器基元的电阻值已经变为低于预定电阻值。在验证读取后，在施加随后的第一电压之前，所述控制电路向存储器基元施加具有不同于第一电压的极性的第二电压。

主权项

一种非易失性半导体存储器器件包括：存储器基元阵列，包括一个或多个第一线、层叠在所述第一线上的一个或多个存储器基元以及在所述存储器基元之上与所述第一线交叉的一个或多个第二线，通过施加第一极性的电压使所述存储器基元进入低电阻状态，并且通过施加具有不同于所述第一极性的第二极性的电压使所述存储器基元进入高电阻状态；以及控制电路，被配置为通过所述第一线和所述第二线使所述存储器基元的所述状态在所述高电阻状态和所述低电阻状态之间转换，当执行用于设定所述存储器基元到所述低电阻状态的设定操作时，直到所述存储器基元的电阻值变为低于预定电阻值为止，所述控制电路重复：向所述存储器基元施加用于设定的第一电压；以及验证读取以验证所述存储器基元的所述电阻值已经变为低于所述预定电阻值，以及在所述验证读取后，在施加随后的所述第一电压之前，所述控制电路向所述存储器基元施加与所述第一电压的极性不同的第二电压。