[发明专利]半导体器件的金属布线及半导体器件的金属布线形成方法在审
| 申请号： | 201210336737.1 | 申请日： | 2012-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103579185A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 金官洙;金是范;郑钟烈;姜良范;李泰钟;申讲燮 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的一个实施例所提供的半导体器件的金属布线，包含数字隔离区域、第一下部金属、第一上部金属、层叠在第一下部金属与第一上部金属之间的多个层间绝缘膜，每一个层间绝缘膜包含至少一个接触插塞，布置在最下侧的层间绝缘膜的接触插塞与第一下部金属接触，布置在最上侧的层间绝缘膜的接触插塞与第一上部金属接触，在相邻的两个层间绝缘膜中，一侧层间绝缘膜的接触插塞与另一侧层间绝缘膜的接触插塞相互接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 金属 布线 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的金属布线，用于对相邻地布置有低电压施加区域和高电压施加区域的半导体器件施加电压，其特征在于包含：数字隔离区域；与所述半导体器件电连接的第一下部金属；与外部电源电连接的第一上部金属；多个层间绝缘膜，该多个层间绝缘膜层叠在所述第一下部金属与所述第一上部金属之间，每一个层间绝缘膜包含用于电连接所述第一下部金属和所述第一上部金属的至少一个接触插塞，布置在最下侧的层间绝缘膜的接触插塞与所述第一下部金属接触，布置在最上侧的层间绝缘膜的接触插塞与所述第一上部金属接触，在相邻的两个层间绝缘膜中，一侧层间绝缘膜的接触插塞与另一侧层间绝缘膜的接触插塞相互接触。
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