[发明专利]一种改善双大马士革工艺中KINK缺陷的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种改善双大马士革工艺中KINK缺陷的方法。本发明提出一种改善双大马士革工艺中KINK缺陷的方法，通过在金属硬质掩膜层与超低介电常数介电质层之间设置低介电常数介电质层，利用不同K值介电质层（低介电常数介电质层和超低介电常数介电质层）在等离子体蚀刻中表现出来不同的蚀刻率的K值渐进式结构来达到保护侧墙的目的，不仅在保持做大半导体器件底部CD，还减轻侧墙的kink或bowing等特定缺陷，进而有利于后续埋层及Cu填充工艺，减少填充和研磨缺陷，提高产品良率。

主权项

一种改善双大马士革工艺中KINK缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：沉积超低介电常数介电质层覆盖一制备有底部金属的半导体结构的上表面后，再沉积一低电常数介电质层覆盖所述超低介电常数介电质层的上表面；步骤S2：从下至上顺便依次沉积金属硬质掩膜层和垫氧化物层覆盖所述低介电常数介电质层的上表面；步骤S3：打开所述金属硬质掩膜后，采用光刻、刻蚀工艺于所述超低介电常数介电质层中形成通孔结构；步骤S4：采用沟槽刻蚀工艺形成沟槽，并贯通所述通孔结构的底部至所述底部金属中，形成通孔后，去除所述低介电常数介电质层。