[发明专利]一种InN基薄膜材料生长方法无效
| 申请号： | 201210344800.6 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102912315A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 修向前;华雪梅;谢自力;张荣;韩平;陆海;顾书林;施毅;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/44;C30B25/02;C30B29/38 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 徐激波 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 制备InN基薄膜的方法，其利用氢化物气相外延（HVPE）设备生长InN薄膜。蓝宝石或者GaN/蓝宝石复合衬底清洗后，放入HVPE生长系统中，开始生长I nN薄膜；生长区温度：500-650℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量1-5slm；铟源采用高纯金属铟和高纯HCl反应生成氯化铟，金属源区温度700-900℃；HCl流量：1-20sccm，HCl的氮气载气流量10-1000sccm。高纯氨气作为氮源，NH3流量：50-500sccm；生长时间10-120分钟。制备InxGa1-xN合金薄膜时，在上述条件的基础上，镓源采用高纯金属铟和高纯HCl反应生成氯化镓，金属源区温度700-900℃。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 inn 薄膜 材料 生长 方法 | ||
【主权项】：
制备InN基薄膜的方法，其特征是利用氢化物气相外延（HVPE）设备生长InN薄膜；蓝宝石或者GaN/蓝宝石复合衬底清洗后，放入HVPE生长系统中，开始生长InN薄膜；生长区温度：500‑650℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量1‑5slm；铟源采用高纯金属铟和高纯HCl反应生成氯化铟，金属源区温度700‑900℃；HCl流量：1‑20sccm，HCl的氮气载气流量10‑1000sccm。高纯氨气作为氮源，NH3流量：50‑500sccm；生长时间10‑120分钟。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
