[发明专利]薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法

摘要

本发明涉及薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法。公开了减少了工序数量的薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法。所述方法包括：通过第一掩模工序，在基板上形成包括栅极和选通线的第一导电图案；淀积栅绝缘膜，并通过第二掩模工序形成包括半导体图案、源极和漏极以及数据线的第二导电图案；淀积第一钝化膜和第二钝化膜，并通过第三掩模工序形成穿过第一钝化膜和第二钝化膜并露出漏极的像素接触孔；通过第四掩模工序，形成包括公共电极和公共线的第三导电图案并同时形成与公共电极形成底切结构的第三钝化膜，并通过掀离工序艺形成包括像素电极的第四导电图案。

主权项

一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：多条选通线；与所述多条选通线交叉的多条数据线；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管中的每一个包括连接到所述多条选通线的栅极、连接到所述多条数据线的源极、与所述源极相对地形成的漏极以及半导体图案，所述半导体图案与所述栅极交叠，其中在所述半导体图案与所述栅极之间插入了栅绝缘膜；第一钝化膜至第三钝化膜，它们覆盖所述薄膜晶体管，并且包括像素接触孔以露出所述薄膜晶体管中的每一个的漏极；像素电极，所述像素电极连接到所述漏极，并且形成在所述第三钝化膜的凹槽内；以及公共电极，所述公共电极与所述像素电极一起形成边缘场，并且所述公共电极与所述像素电极被所述公共电极与所述第三钝化膜的底切结构提供的空间隔开。