[发明专利]3D NAND存储器以及制作方法有效
| 申请号： | 201210349821.7 | 申请日： | 2012-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103680611A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 何其旸 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种3D NAND存储器以及制作方法，所述3D NAND存储器，包括均呈多层排布的存储阵列与控制栅电路，各层的控制栅电路电性连接至同层的存储阵列，实现对各层存储阵列的选中；各层的所述控制栅电路由相同数目的晶体管串联而成，控制栅电路的所有晶体管的栅极电性连接至控制线，所述控制线的数目与每层控制栅电路所包含晶体管的数目相同，位于同层控制栅电路上的不同晶体管的栅极电性连接在不同的控制线上。本发明通过所述控制栅电路实现以较少数量的输入控制线SSL选择对层数较多的控制栅层，使得存储器在通过增加存储单元层来增大存储容量的时候不因为控制栅需要的层数增加而增加整个存储器的面积和体积。 | ||
| 搜索关键词： | nand 存储器 以及 制作方法 | ||
【主权项】：
一种3DNAND存储器，其特征在于，包括均呈多层排布的存储阵列与控制栅电路，各层的控制栅电路电性连接至同层的存储阵列，实现对各层存储阵列的选中；各层的所述控制栅电路由相同数目的晶体管串联而成，控制栅电路的所有晶体管的栅极电性连接至控制线，所述控制线的数目与每层控制栅电路所包含晶体管的数目相同，位于同层控制栅电路上的不同晶体管的栅极电性连接在不同的控制线上。
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