[发明专利]一种无坩埚快速生长厘米量级Ti:Ta2O5晶体的方法有效
| 申请号： | 201210353144.6 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102912438A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 蒋毅坚;徐宏;马云峰;王越 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B13/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种无坩埚快速生长厘米量级Ti:Ta2O5晶体的方法，属于Ti:Ta2O5晶体生长领域。先将TiO2和Ta2O5粉料混合球磨、预烧，压制成棒状的多晶棒；将多晶棒分别作为料棒和籽晶安装在单晶炉中，设置升温速率，进行晶体生长，设置降温时间，将生长完的晶体冷却至室温。本发明方法是一种快速生长厘米量级、无宏观缺陷、高质量Ti:Ta2O5晶体的无坩埚生长技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 坩埚 快速 生长 厘米 量级 ti ta sub 晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种无坩埚快速生长厘米量级Ti:Ta2O5晶体的方法，包括以下步骤：(1)配料和料棒制备：将纯度不低于99.99%TiO2和Ta2O5的粉料按照化学计量比经过混合球磨、预烧；将预烧后的多晶粉料装入橡胶管中，然后放入等静压下压制成棒状的多晶棒；(2)料棒和籽晶安装：将步骤（1）压制好的一根多晶棒固定在单晶炉的中轴线上部料棒杆上作为料棒，将另一根多晶棒放入中轴线的下部作为籽晶，籽晶和料棒在竖直方向成一条直线，调节料棒和籽晶的位置，使其接触，接触点与卤素灯处于同一水平线上；(3)晶体生长：设置升温速率，用0.5‑1h升温至料棒和籽晶融化，调整料棒和籽晶的转速和旋转方向，待形成稳定溶区后接种；通过聚焦镜的移动，形成组分过冷，实现结晶；(4)降温冷却：设置降温时间，将生长完的晶体冷却至室温。
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