[发明专利]重新布线图形的形成方法在审
| 申请号： | 201210353208.2 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102881642A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 胡红梅 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种重新布线图形的形成方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括：向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料，可显影填充材料的填充深度小于硅通孔的深度；在硅通孔内的可显影填充材料之上涂布光刻胶材料，光刻胶材料与所述可显影填充材料相兼容；以及去除光刻胶，以形成重新布线图形，以及去除硅通孔内的可显影填充材料。本发明中，利用可显影填充材料填充硅通孔，在填充材料之上再涂布光刻胶进行重新布线层曝光，最后显影去除曝光后的光刻胶和硅通孔内的可显影填充材料，从而避免了通常重新布线光刻工艺中利用光刻胶填充硅通孔时产生的通孔内光刻胶残留，最终提高了硅通孔的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 重新 布线 图形 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种重新布线图形的制造方法，其特征在于，包括：向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料，所述可显影填充材料的填充深度小于所述硅通孔的深度；在所述硅通孔内的可显影填充材料之上涂布光刻胶材料，所述光刻胶材料与所述可显影填充材料相兼容；去除所述光刻胶，以形成重新布线图形，以及去除硅通孔内的可显影填充材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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