[发明专利]CMOS 集成电路和放大电路

摘要

本发明提供了一种CMOS集成电路和放大电路。该CMOS集成电路在输入晶体管具有梳状结构的同时，能抑制栅极电阻并防止噪声系数（NF）增加。该晶体管包括：栅电极，其从栅极布线延伸出以形成梳状，并从输入端接收输入信号；源电极，其从面向栅极布线的源极布线延伸出以形成梳状，并连接至接地端，源电极的梳齿插入在栅电极的梳齿之间的每隔一个的空间中；漏电极，其从面向栅极布线的漏极布线延伸出以形成梳状，漏电极的梳齿插入在栅电极的梳齿之间的每隔一个的源电极的梳齿不存在的空间中，其中，栅电极与源电极或漏电极之间的重叠区域不存在。

主权项

一种包括晶体管的互补型金属氧化物半导体（CMOS）集成电路，所述晶体管包括：栅电极，其从栅极布线延伸出以形成梳状，并从信号输入端接收输入信号；源电极，其从面向所述栅极布线的源极布线延伸出以形成梳状，并连接至接地端，所述源电极的梳齿插入在所述栅电极的梳齿之间的每隔一个的空间中；以及漏电极，其从面向所述栅极布线的漏极布线延伸出以形成梳状，所述漏电极的梳齿插入在所述栅电极的梳齿之间的每隔一个的所述源电极的梳齿不存在的空间中，其中，所述栅电极与所述源电极或所述漏电极之间的重叠区域不存在。