[发明专利]用于光蚀刻法的组合物和防反射涂层

摘要

本发明提供一种组合物，其包括至少以下的A和BA)含有以下结构单元1的聚合物，其中L是CX‑CYZ，其中X，Y，和Z各自独立地选自氢，烷基，或者取代的烷基；和M是亚烷基，亚芳基，取代的亚烷基，取代的亚芳基，或者C(O)O‑W‑，其中W是亚烷基或者取代的亚烷基；和R’，R”，和R”’各自独立地选自芳族烃，脂族烃，或者取代的烃，其包括O，N，S，或者Si原子中的一个或者多个，条件是R’，R”，和R”’中的至少一个选自烷氧基，芳氧基，羟基，卤素，羧基，或者碳酸酯；和p是1至10,000的整数；和条件是该聚合物不包括多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)结构；和B)由第一组合物形成的聚合物，所述第一组合物包括本申请中所述的化合物F1，化合物F2，化合物F3和/或化合物F4中的至少一种。

主权项

一种组合物，其包括至少以下的A和B:A)含有以下的结构单元1的聚合物:其中L是CX‑CYZ，其中X、Y、和Z各自独立地选自氢、烷基、或者取代的烷基；和，M是亚烷基、亚芳基、取代的亚烷基、取代的亚芳基、或者C(O)O‑W‑，其中W是亚烷基或者取代的亚烷基；和R’、R”、和R”’各自独立地选自芳族烃、脂族烃、或者取代的烃，其含有O，N，S，或者Si原子中的一个或者多个，条件是R’、R”和R”’中的至少一个选自烷氧基、芳氧基、羟基、卤素、羧基、或者碳酸酯；和，p是1至10,000的整数；和条件是该聚合物不含有多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)结构；和B)由第一组合物形成的聚合物，所述第一组合物包括以下的至少一种:a)选自式1的化合物F1:其中Ra包括一个或多个多重键，条件是，如果Ra含有多于一个多重键，那么这些多重键不为共轭的构型；和R1、R2、和R3各自独立地选自烷氧基、羟基、卤素、OC(O)R、或者OC(O)OR，其中R是烷基或者取代的烷基；b)选自式2的化合物F2:其中Rb选自H或者饱和的基团，所述饱和的基团包括烷基，烷撑，或者烷叉；和R4、R5、和R6各自独立地选自烷氧基、羟基、卤素、OC(O)R、或者OC(O)OR，其中R是烷基或者取代的烷基；c)选自式3的化合物F3:其中Rc包括多于一个多重键，和这些多重键为共轭的构型；和R7、R8、和R9各自独立地选自烷氧基、羟基、卤素、OC(O)R、或者OC(O)OR，其中R是烷基或者取代的烷基；和/或d)选自式4的化合物F4:其中R10、R11、R12、和R13各自独立地选自烷氧基、羟基、卤素、OC(O)R、或者OC(O)OR，其中R是烷基或取代的烷基。