[发明专利]像素结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210355412.8 | 申请日： | 2012-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103531590A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 陈建翰;王志诚;陈世芳 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种像素结构及其制造方法。像素结构包括基板、晶体管、平坦层、多个接触窗以及像素电极层。晶体管配置于基板上且包括栅极、源极及漏极。平坦层配置于栅极、源极及漏极的一部分上。多个接触窗贯穿平坦层，且暴露出漏极的另一部分。像素电极层配置于平坦层上、接触窗中及漏极的另一部分上，且电性连接至漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种像素结构，其特征在于包括：基板；晶体管，配置于该基板上，且包括栅极、源极及漏极；平坦层，配置于该栅极、该源极及该漏极的一部分上；多个接触窗，贯穿该平坦层，且暴露出该漏极的另一部分；以及像素电极层，配置于该平坦层上、所述接触窗中及该漏极的该另一部分上，且电性连接至该漏极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于元太科技工业股份有限公司，未经元太科技工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210355412.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
