[发明专利]一种源漏双外延层的形成方法有效
| 申请号： | 201210356120.6 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103681258A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 卜伟海;谢欣云 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种源漏双外延层的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上至少包含第一栅极结构和第二栅极结构；蚀刻所述衬底，以在所述第二栅极结构两侧形成凹陷；在所述凹陷内和所述第一栅极结构两侧的源漏上外延生长第一半导体材料，以在所述第二栅极结构两侧形成第二抬升源漏；在所述衬底上沉积外延阻挡层；蚀刻去除所述第一栅极结构及两侧源漏上的外延阻挡层，以露出第一半导体材料；蚀刻去除露出的所述第一半导体材料；在所述第一栅极结构两侧的源漏区上外延生长第二半导体材料，以形成第一抬升源漏；去除剩余的所述外延阻挡层，以露出所述第二栅极结构以及第二抬升源漏。本发明所述方法只需要形成一次外延阻挡层，简化工艺步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 源漏双 外延 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种源漏双外延层的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上至少包含第一栅极结构和第二栅极结构；蚀刻所述第二栅极结构两侧的衬底，以在所述第二栅极结构两侧形成凹陷；在所述凹陷内和所述第一栅极结构两侧的源漏上外延生长第一半导体材料，以在所述第二栅极结构两侧形成第二抬升源漏；在所述衬底上沉积外延阻挡层，以覆盖所述第一栅极结构及源漏区、所述第二栅极结构及所述第二抬升源漏；蚀刻去除所述第一栅极结构及两侧源漏上的外延阻挡层，以露出所述第一半导体材料；蚀刻去除露出的所述第一半导体材料，以露出所述衬底；在所述第一栅极结构两侧的源漏区上外延生长第二半导体材料，以形成第一抬升源漏；去除剩余的所述外延阻挡层，以露出所述第二栅极结构以及第二抬升源漏。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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