[发明专利]降低线条粗糙度的混合光刻方法有效
| 申请号： | 201210357244.6 | 申请日： | 2012-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103676493A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 孟令款;李春龙;贺晓彬;李俊峰;闫江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种降低线条粗糙度的混合光刻方法，包括：在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模层；执行第一光刻/刻蚀，在第一硬掩模层上形成第一光刻胶图形，刻蚀第一硬掩模层，形成第一硬掩模图形；在第一硬掩模图形上形成第二硬掩模层；执行第二光刻/刻蚀，在第二硬掩模层上形成第二光刻胶图形，刻蚀第二硬掩模层，形成第二硬掩模图形；继续刻蚀第二硬掩模层和第一硬掩模层，形成第三硬掩模图形；以第三硬掩模图形为掩模，刻蚀结构材料层，形成所需要的线条。依照本发明方法，采用材质不同多层硬掩模层并多次刻蚀，防止了电子束光刻胶侧壁粗糙度传递到下层的结构材料层，有效降低了线条的粗糙度，提高了工艺的稳定性，降低了器件性能的波动变化。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 线条 粗糙 混合 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种降低线条粗糙度的混合光刻方法，包括：在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模层；执行第一光刻/刻蚀，在第一硬掩模层上形成第一光刻胶图形，刻蚀第一硬掩模层，形成第一硬掩模图形；在第一硬掩模图形上形成第二硬掩模层；执行第二光刻/刻蚀，在第二硬掩模层上形成第二光刻胶图形，刻蚀第二硬掩模层，形成第二硬掩模图形；继续刻蚀第二硬掩模层和第一硬掩模层，形成第三硬掩模图形；以第三硬掩模图形为掩模，刻蚀结构材料层，形成所需要的线条。
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