[发明专利]动态记忆体结构

摘要

一种动态记忆体结构，至少包含基材、条状半导体材料、断开栅极、介电层、栅极介电层与电容单元。条状半导体材料位于基材上，并沿着第一方向延伸。断开栅极位于基材上并沿着第二方向延伸。断开栅极包含独立的第一区块以及第二区块，而将条状半导体材料分成源极端、漏极端及通道区。介电层至少部分夹置于断开栅极与基材之间。栅极介电层至少部分夹置于断开栅极与条状半导体材料之间。电容单元则与源极端电连接。

主权项

一种动态记忆体结构，其特征在于，包含：一基材；位于该基材上并沿着一第一方向延伸的一第一条状半导体材料；位于该基材上并沿着一第二方向延伸的一断开栅极，其包含独立的一第一区块以及一第二区块，而将该第一条状半导体材料分成一第一源极端、一第一漏极端及一第一通道区；一第一介电层，至少部分夹置于该断开栅极与该基材之间；一第一栅极介电层，至少部分夹置于该断开栅极与该第一条状半导体材料之间；以及一第一电容单元，与该第一源极端电连接。