[发明专利]存储阵列装置及其减小读电流的方法在审
| 申请号： | 201210366869.9 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102903387A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种存储阵列装置及其减小读电流的方法，该装置包含多行存储阵列，每行存储阵列包含多个子存储阵列，每个子存储阵列之间设有开关，其中，于每个子存储阵列的首尾分别具有一编程标志位及反相标志位，该编程标志位用于记录当前子存储阵列是否被编程，该反相标志位用于表示原始数据是否反相后被写入当前子存储阵列，通过本发明，可达到减小存储器的读出电流、降低存储器的读出功耗的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 阵列 装置 及其 减小 电流 方法 | ||
【主权项】：
一种存储阵列装置，包含多行存储阵列，其特征在于：每行存储阵列包含多个子存储阵列，每个子存储阵列之间设有开关，于每个子存储阵列的首尾分别具有一编程标志位及反相标志位，该编程标志位用于记录当前子存储阵列是否被编程，该反相标志位用于表示原始数据是否反相后被写入当前子存储阵列。
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