[发明专利]同时填充及平坦化不同尺寸深沟槽的方法有效
| 申请号： | 201210367905.3 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103035486A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 刘继全;钱志刚;成鑫华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种同时填充及平坦化不同尺寸深沟槽的方法，包括以下步骤：步骤一、在硅基板上淀积一层或数层氧化膜或氮化膜的组合体，作为阻挡层；步骤二、淀积光刻胶，显影后刻蚀氧化膜或氮化膜的组合体，露出后续流程需要刻蚀深沟槽的硅衬底；步骤三、去除光刻胶，然后利用氧化膜或氮化膜的组合体作为阻挡层，刻蚀出具有不同深宽比的深沟槽的图形；步骤四、在硅片上淀积一层台阶覆盖能力较好的氧化膜；步骤五、通过化学机械研磨的方式将位于阻挡层上方的氧化膜研磨去除，从而降低深沟槽的深宽比；步骤六、进行连续几轮的氧化膜淀积和化学机械研磨，直至将不同尺寸的深沟槽均填满。本发明可以降低大高宽比的深沟槽的填充难度，同时又可保证大开口的沟槽里的填充物不被去除，工艺简单，效果明显。 | ||
| 搜索关键词： | 同时 填充 平坦 不同 尺寸 深沟 方法 | ||
【主权项】：
一种同时填充及平坦化不同尺寸深沟槽的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、在硅基板上淀积一层或数层氧化膜或氮化膜的组合体，作为阻挡层；步骤二、淀积光刻胶，显影后刻蚀氧化膜或氮化膜的组合体，露出后续流程需要刻蚀深沟槽的硅衬底；步骤三、去除光刻胶，然后利用氧化膜或氮化膜的组合体作为阻挡层，刻蚀出具有不同深宽比的深沟槽的图形；步骤四、在硅片上淀积一层台阶覆盖能力较好的氧化膜；步骤五、通过化学机械研磨的方式将位于阻挡层上方的氧化膜研磨去除，从而降低深沟槽的深宽比；步骤六、进行连续几轮的氧化膜淀积和化学机械研磨，直至将不同尺寸的深沟槽均填满。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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