[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置。实现能够确保期望的击穿电压且能够流过大的放电电流的ESD保护特性优越的ESD保护元件。由适合的杂质浓度的N+型嵌入层（2）和P+型嵌入层（3）形成PN结二极管。P+型嵌入层与P+型引出层（5）成为一体且将N-型外延层（4）贯通而与阳极电极（10）连接。由P+型嵌入层等包围的N-型外延层上形成N+型扩散层（7）和与该N+型扩散层连接且围绕它的P+型扩散层（6）。N+型扩散层、P+型扩散层与阴极电极（9）连接。由将P+型扩散层作为发射极、将N-型外延层作为基极、将P+型引出层等作为集电极的寄生PNP双极型晶体管（38）和PN结二极管（35）构成ESD保护元件。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：第2导电型的外延层，在第1导电型的半导体衬底上堆积；第2导电型的第1嵌入层，在与所述半导体衬底和所述外延层之间形成；第1导电型的第2嵌入层，与所述第1嵌入层的周边区域连接且从所述半导体衬底内向所述外延层内延伸；第1导电型的引出层，从所述外延层的表面向所述外延层内延伸并且与所述第2嵌入层成为一体；第2导电型的第1扩散层，从由所述第2嵌入层、所述引出层和所述第1嵌入层包围的所述外延层的表面向其内部延伸而形成；第1导电型的第2扩散层，与所述第1扩散层连接并且围绕该第1扩散层而形成；以及与所述第1扩散层以及所述第2扩散层连接的阴极电极和与所述引出层连接的阳极电极，所述半导体装置具有：ESD保护元件，通过由所述第1嵌入层和所述第2嵌入层形成的PN结二极管、由所述第2扩散层和所述外延层和所述引出层形成的寄生双极型晶体管所构成。