[发明专利]采用质子辐照制备终端结构的方法有效
| 申请号： | 201210370852.0 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103715074A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 褚为利;朱阳军;吴振兴;赵佳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用质子辐照制备终端结构的方法包括：在衬底上制备芯片的主结和P型场限环；在所述形成主结和P型场限环的芯片上制备元包结构；在所述形成元包结构的芯片上淀积金属电极后，通过刻蚀形成阴极；在所述形成阴极的芯片上通过质子注入后退火形成N型阱，完成芯片的正面工艺；在所述完成正面工艺的芯片的背面进行P型离子注入形成P集电极后，淀积金属电极形成阳极，获得成品。本发明提供的采用质子辐照制备终端结构的方法，在保证耐压的同时降低芯片终端面积，且采用质子辐照形成施主杂质的方法，形成N型阱，注入损伤相对普通高能粒子注入要小，还能提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 质子 辐照 制备 终端 结构 方法 | ||
【主权项】：
采用质子辐照制备终端结构的方法，其特征在于，包括：在衬底上制备芯片的主结和P型场限环；在所述形成主结和P型场限环的芯片上制备元包结构；在所述形成元包结构的芯片上淀积金属电极后，通过刻蚀形成阴极；在所述形成阴极的芯片上通过质子注入后退火形成N型阱，完成芯片的正面工艺；在所述完成正面工艺的芯片的背面进行P型离子注入形成P集电极后，淀积金属电极形成阳极，获得成品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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