[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201210378806.5 | 申请日： | 2012-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN103035192B | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 坂仓真之;后藤裕吾;三宅博之;黑崎大辅 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G09G3/20 | 分类号： | G09G3/20;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一个方式提供一种能够防止静电破坏所引起的成品率的降低的半导体装置，其中，对扫描线供应用来选择多个像素的信号的扫描线驱动电路包括生成上述信号的移位寄存器，并且，在上述移位寄存器中将用作多个晶体管的栅电极的一个导电膜分割为多个，由形成在与上述被分割的导电膜不同的层中的导电膜使上述被分割的导电膜彼此电连接。上述多个晶体管包括移位寄存器的输出一侧的晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：对布线输出电位的移位寄存器，该移位寄存器包括第一晶体管及第二晶体管，其中，所述第一晶体管的栅电极通过导电膜电连接到所述第二晶体管的栅电极，所述第二晶体管的源电极和漏电极之一电连接到所述布线，从而所述电位供应给所述布线，以及所述第二晶体管的沟道长度与沟道宽度之间的比例大于所述第一晶体管的沟道长度与沟道宽度之间的比例。
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