[发明专利]一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路有效
| 申请号： | 201210379400.9 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102882181A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 黄善兵;翟建光;甘彦君 | 申请（专利权）人： | 深圳市新国都技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/08 | 分类号： | H02H3/08;H02H11/00;H02H3/20 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 李新林 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，其包括有：熔断器、双向可控硅及稳压管，所述熔断器的第一端为电源端，其第二端为供电输出端，该第二端还通过第一电阻而连接至稳压管的阴极，该稳压管的阳极通过第二电阻接地，所述熔断器的第二端还连接双向可控硅的第一极，所述双向可控硅的第二极接地，其控制极连接至稳压管的阳极。本发明不仅避免了电路欠压还降低了产品成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 双向 可控硅 反接 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种基于双向可控硅的反接保护及过压保护电路，其特征在于，其包括有：熔断器（FU1）、双向可控硅（Q1）及稳压管（D1），所述熔断器（FU1）的第一端为电源端（VIN），其第二端为供电输出端（VCC），该第二端还通过第一电阻（R1）而连接至稳压管（D1）的阴极，该稳压管（D1）的阳极通过第二电阻（R2）接地，所述熔断器（FU1）的第二端还连接双向可控硅（Q1）的第一极，所述双向可控硅（Q1）的第二极接地，其控制极连接至稳压管（D1）的阳极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市新国都技术股份有限公司，未经深圳市新国都技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210379400.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
