[发明专利]半导体栅极结构以及其形成方法在审
| 申请号： | 201210379521.3 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103715075A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 江圳陵 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/49;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种半导体栅极结构以及其形成方法。本发明提供的具有沟槽的半导体栅极结构,此沟槽经由介电结构以及堆叠结构而形成,第一导电层可以共形地形成在介电结构以及堆叠结构之上,氧化层是沿着第一导电层形成并且可以实质地从第一导电层中移除,对某些栅极结构而言,具有第一导电层以及第二导电层的导电填充结构可以沉积在堆叠结构以及介电结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 栅极 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体栅极结构的方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一介电结构与一堆叠结构以形成一沟槽；在该介电结构与该堆叠结构上共形地形成一第一导电层；以及在该第一导电层的一顶部区域上形成一氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
