[发明专利]在制造半导体器件过程中去除残留物的方法在审
| 申请号： | 201210382915.4 | 申请日： | 2012-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103390540A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 巫俊昌;陈俊璋;吴权陵;莫忘本;谢弘璋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种方法，包括在半导体衬底上形成第一光刻胶部件和第二光刻胶部件。在半导体衬底上形成化学材料涂层。该化学材料涂层介入第一光刻胶部件和第二光刻胶部件之间。然后清洗该半导体衬底；该清洗从半导体衬底去除了化学材料涂层。化学材料可以与第一光刻胶部件和第二光刻胶部件之间的衬底上设置的残留物混合。从衬底去除化学材料涂层也可以去除残留物。本发明提供在制造半导体器件过程中去除残留物的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 过程 去除 残留物 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在半导体衬底上形成第一光刻胶部件和第二光刻胶部件；在所述半导体衬底上施加化学材料涂层，其中，所述化学材料涂层介入第一光刻胶部件和第二光刻胶部件之间；以及清洗所述半导体衬底，其中，清洗去除了所述半导体衬底上的所述化学材料涂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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