[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210382954.4 | 申请日： | 2012-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103730417A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L29/08;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明提供的半导体器件的制造方法，通过在CMOS半导体器件的制造过程中，在PMOS区通过嵌入式锗硅工艺形成抬升的PMOS源极和漏极的同时，通过在NMOS区域采用嵌入式碳硅（SiC）工艺形成抬升的NMOS源极和漏极，在提高NMOS的迁移率的同时不会对PMOS的应力造成影响，满足了整个CMOS半导体器件对应力的要求，提高了半导体器件的性能。相应地，本发明提供的半导体器件，在PMOS区采用嵌入式锗硅作为PMOS的抬升的源极和漏极的同时，通过在NMOS区域采用嵌入式碳硅（SiC）作为NMOS的抬升的源极和漏极，在提高NMOS的迁移率的同时不会对PMOS的应力造成影响，满足了整个CMOS半导体器件对应力的要求，提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括用于形成NMOS的NMOS区和用于形成PMOS的PMOS区；步骤S102：在所述半导体衬底的PMOS区通过嵌入式锗硅工艺形成抬升的PMOS源极和漏极；步骤S103：在所述半导体衬底的NMOS区通过嵌入式碳硅工艺形成抬升的NMOS源极和漏极；其中，所述步骤S102和步骤S103的顺序可以互换。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
