[发明专利]一种稀土配位聚合物薄膜的电化学制备及其应用无效
| 申请号： | 201210383122.4 | 申请日： | 2012-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN102936735A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 杨洋溢;朱艺敏;曾承辉;褚天舒 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C25B3/12 | 分类号： | C25B3/12 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 张海文 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种稀土配位聚合物薄膜的电化学制备及其应用。该稀土配位聚合物薄膜的制备方法包括两种途径：(A)电沉积耦合水热/溶剂热法：先在导电基底材料表面制备一层稀土氧化物或稀土氢氧化物薄膜；然后利用溶剂热或水热法，在稀土氧化物或氢氧化物的薄膜表面生长一层稀土配位聚合物薄膜；(B)直接电化学沉积法：通过选取合适的电解液体系，改变相关离子在电极上的超电势，直接在阴极上沉积得到稀土配位聚合物薄膜。本发明制备的稀土配位聚合物薄膜，既能保留配位聚合物的金属有机框架微孔结构，又能形成规整的薄膜形貌，有望在气体吸附、分子离子识别、择形催化、物质分离等方面得到应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稀土 配位聚合 薄膜 电化学 制备 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种稀土配位聚合物薄膜的电化学制备方法，包括A或B两种途径，其中，A途径包括如下步骤：a）往LnmXn溶液中插入导电材料，Ln=稀土离子，X=阴离子， m， n为自然数；b）以导电材料为电极电解LnmXn溶液；c）电解结束后，在导电材料表面生成一层均匀、致密的Ln(OH)x或LnxOy薄膜；d）将上一步得到的Ln(OH)x或LnxOy薄膜浸入到LnmXn及配体的溶液中，在50～250℃进行水热或溶剂热反应，冷却后，在原Ln(OH)x或LnxOy薄膜表面形成一层均匀、致密的稀土配位聚合物薄膜；B途径包括如下步骤：1）用溶剂将LnmXn及配体溶解后加入到电解池中，Ln=稀土离子，X=无机阴离子，m，n为自然数；2）以导电材料为电极，加入导电物质，电解上述溶液；3）电解结束后，在导电材料表面生成一层均匀、致密的稀土配位聚合物薄膜。
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