[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210383347.X | 申请日： | 2012-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN103050460A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 日坂隆行;中本隆博;志贺俊彦;西泽弘一郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;李浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能提高针对来自外部的杂质等的耐性的半导体装置及其制造方法。在GaAs衬底(1)上设置有下层布线(2)。在GaAs衬底(1)及下层布线(2)上设置有树脂膜(4)。树脂膜(4)在下层布线(2)上具有开口(5)。在下层布线(2)及树脂膜(4)上设置有SiN膜(6)。SiN膜(6)在开口(5)内具有开口(7)。在下层布线(2)及树脂膜(4)的一部分上设置有上层布线(8)。上层布线(8)具有经由开口(5)、(7)与下层布线(2)连接的Ti膜(8a)和设置在Ti膜(8a)上的Au膜(8b)。在上层布线(8)及树脂膜(4)上设置有SiN膜(9)。SiN膜(9)在树脂膜(4)上附着于SiN膜(6)。SiN膜(6)、(9)保护Ti膜(8a)的周围。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体衬底；下层布线，设置在所述半导体衬底上；树脂膜，设置在所述半导体衬底以及所述下层布线上，在所述下层布线上具有第一开口；第一SiN膜，设置在所述下层布线以及所述树脂膜上，在所述第一开口内具有第二开口；上层布线，设置在所述下层布线以及所述树脂膜的一部分上；以及第二SiN膜，设置在所述上层布线以及所述树脂膜上，在所述树脂膜上附着于所述第一SiN膜，所述上层布线具有：Ti膜，经由所述第一以及第二开口与所述下层布线连接；Au膜，设置在所述Ti膜上，所述第一以及第二SiN膜保护所述Ti膜的周围。
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