[发明专利]高速记忆芯片模块和有高速记忆芯片模块的电子系统装置

摘要

本发明公开了一种高速记忆芯片模块和有高速记忆芯片模块的电子系统装置。该高速记忆芯片模块包含一种型式的记忆单元数组组和一逻辑单元。该型式的记忆单元数组组包含多个记忆单元数组集成电路，该至少一记忆单元数组是有关于第一金属氧化物半导体晶体管栅极长度。该逻辑单元通过第一传输总线存取该型式的记忆单元数组组，且该第一传输总线的总线宽度是大于每一记忆单元数组集成电路的数据总线的总线宽度。该逻辑单元是有关第二金属氧化物半导体晶体管栅极长度，且该第一金属氧化物半导体晶体管栅极长度是大于该第二金属氧化物半导体晶体管栅极长度。因此，本发明具有较高的传输效率、电磁干扰的屏蔽效果、较佳的散热能力和隔离外界噪声的功能。

主权项

一种高速记忆芯片模块，其特征在于，包含：一种型式的记忆单元数组组，其中该型式的记忆单元数组组包含多个记忆单元数组集成电路，每一记忆单元数组集成电路具有一输入/输出数据总线，以及至少一记忆单元数组，其中该至少一记忆单元数组是有关于一第一金属氧化物半导体晶体管半导体制程，且该第一金属氧化物半导体晶体管半导体制程是有关于一第一金属氧化物半导体晶体管栅极长度；及一逻辑单元，用以通过一第一传输总线存取该型式的记忆单元数组组，其中该第一传输总线是用以传送伴随该多个记忆单元数组集成电路的一第一组平行数据，且该第一传输总线的总线宽度是大于每一记忆单元数组集成电路的输入/输出数据总线的总线宽度，其中该逻辑单元是有关于一第二金属氧化物半导体晶体管半导体制程，该第二金属氧化物半导体晶体管半导体制程是有关于一第二金属氧化物半导体晶体管栅极长度，且该第一金属氧化物半导体晶体管栅极长度是大于该第二金属氧化物半导体晶体管栅极长度；其中该逻辑单元另用以通过一第二传输总线转换该第一传输总线的该第一组平行数据成为一第二组平行资料。