[发明专利]画素结构及画素结构的制作方法

摘要

一种画素结构及画素结构的制作方法。首先于电极上形成绝缘层、平坦层，平坦层具第一开口，暴露电极上的绝缘层。于平坦层上形成导电层，且导电层填入第一开口中。形成图案化光阻层，具蚀刻开口，暴露出电极上方的导电层。以图案化光阻层为罩幕，对导电层进行湿式蚀刻制程，经蚀刻开口移除电极上的导电层，并侧向蚀刻图案化光阻层下的导电层，以形成具第二开口的图案化导电层，第二开口位于第一开口内，暴露出电极上方的绝缘层。以图案化光阻层为罩幕，对绝缘层进行干式蚀刻制程，经蚀刻开口移除电极上方的绝缘层，以形成具暴露出电极的第三开口的图案化绝缘层，第三开口小于第二开口且自行对准于第二开口。

主权项

一种画素结构的制作方法，包括：于一基板上形成一薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括一第一电极；于该基板上形成一第一绝缘层，覆盖该第一电极；于该基板上形成一平坦层，覆盖该第一绝缘层且具有一第一开口，该第一开口暴露位于该第一电极上方的该第一绝缘层；于该平坦层上形成一第一导电层，该第一导电层填入该第一开口中；于该第一导电层上形成一图案化光阻层，该图案化光阻层具有一蚀刻开口，该蚀刻开口暴露出位于该第一电极上方的该第一导电层；对该第一导电层进行一湿式蚀刻制程，该湿式蚀刻制程以该图案化光阻层为罩幕，经由该蚀刻开口移除位于该第一电极上方的该第一导电层，并且侧向蚀刻位于该图案化光阻层下的部分该第一导电层，以形成一图案化第一导电层，其中该图案化第一导电层具有一第二开口，该第二开口位于该第一开口内，且暴露出位于该第一电极上方的该第一绝缘层；对该第一绝缘层进行一干式蚀刻制程，该干式蚀刻制程以该图案化光阻层为罩幕，经由该蚀刻开口移除位于该第一电极上方的该第一绝缘层，以形成一图案化第一绝缘层，其中该图案化第一绝缘层具有一暴露出该第一电极的第三开口，该第三开口小于该第二开口，且该第三开口自行对准于该第二开口内；移除该图案化光阻层；于该图案化第一导电层上形成一图案化第二绝缘层，该图案化第二绝缘层覆盖该图案化第一导电层以及该第二开口内暴露出的部分该第一绝缘层，该图案化第二绝缘层具有一第四开口，该第四开口位于该第三开口内，且暴露出部分该第一电极；以及于该图案化第二绝缘层上形成一图案化第二导电层，该图案化第二导电层经由该第四开口与该第一电极电性连接。