[发明专利]半导体器件制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件制造方法，可以方便地形成亚F尺寸的沟槽，本发明在形成侧墙掩模的工艺中，形成了阻挡层和牺牲层，通过采用CMP工艺，将侧墙上部左右两侧差异较大的部分磨掉，留下侧墙底部近似矩形的部分，并且，与现有侧墙掩模技术不同，本发明去除侧墙，以侧墙以外的部分为掩膜进行随后的刻蚀工艺，这样不仅可以尽可能的降低因侧墙形貌不对称而对后续刻蚀造成的不良后果，并且可以方便地形成亚F尺寸的沟槽，拓展了侧墙掩模技术的应用范围。

主权项

一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，在该半导体衬底上形成虚设栅极，所述虚设栅极包括从下至上依次形成的阻挡层和牺牲层；全面性沉积侧墙材料层；各向异性地回刻蚀所述侧墙材料层，仅保留位于所述虚设栅极侧面上的所述侧墙材料层，从而形成侧墙；全面性沉积中间介质层，所述中间介质层完全覆盖所述虚设栅极和所述侧墙；进行CMP工艺，以所述阻挡层的上表面为CMP工艺的终止点，去除所述阻挡层的上表面之上的所述中间介质层、所述牺牲层和所述侧墙，剩余的所述侧墙形成侧墙掩模；去除所述侧墙掩模，在所述半导体衬底上仅留存剩余的所述中间介质层和所述阻挡层，从而使所述侧墙掩模被去除之前所在的区域形成沟槽。