[发明专利]高抗腐蚀性Re-(Fe, TM)-B磁体及其制备方法有效
| 申请号： | 201210393641.9 | 申请日： | 2012-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103779061A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 孙绪新;孙斌 | 申请（专利权）人： | 中磁科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F7/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 李春晅;彭晓玲 |
| 地址： | 044200 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开高抗腐蚀性Re-(Fe,TM)-B磁体制备方法：1）将Re-(Fe,TM)-B体系磁体材料熔炼后进行粗破碎，进行中碎，得到平均粒径0.5mm的粉末材料，其中Re选自Pr-Nd、Nd、Dy、Tb、Gd、Ho或其混合，TM选自Al、Nb、Cu、Ga、Co、Zr或其混合；2）将步骤1所得粉末材料经气流磨一步研磨至粉末材料平均粒径小5μm；3）将步骤2所得粉末材料经磁场成型、真空烧结、时效处理后，得到所需产品；其中步骤1和步骤2所得粉末材料，在进行下一步处理前进行混料处理使粉末材料混合均匀；其中在进行中碎、气流磨研磨、及混料处理中一个或多个操作时向粉末材料中添加平均粒度小于80μm的金属或金属氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 腐蚀性 re fe tm 磁体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高抗腐蚀性Re‑(Fe,TM)‑B磁体制备方法包括如下工艺步骤：1）将Re‑(Fe,TM)‑B体系磁体材料熔炼后进行粗破碎，然后进一步进行中碎，得到平均粒径0.5mm的粉末材料，其中Re选自Pr‑Nd、Nd、Dy、Tb、Gd、Ho或其混合，TM选自Al、Nb、Cu、Ga、Co、Zr或其混合；2）将步骤1所得粉末材料经气流磨进一步研磨至粉末材料平均粒径小5μm；3）将步骤2所得粉末材料经磁场成型、真空烧结、时效处理后，得到所需产品；其中，步骤1和步骤2所得粉末材料，在进行下一步处理前，进行混料处理，使粉末材料混合均匀；其中，在进行中碎、气流磨研磨、及混料处理中一个或多个操作时，向粉末材料中添加平均粒度小于80μm的金属或金属氧化物。
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