[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210393780.1 | 申请日： | 2012-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN103730498B | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 梁擎擎;秦长亮;钟汇才;尹海洲;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底中的源区和漏区、源区与漏区之间的衬底上的栅极堆叠结构、位于栅极堆叠结构周围的偏移侧墙，其特征在于源区以及栅极堆叠结构关于漏区对称分布。依照本发明的半导体器件制造方法，利用偏移侧墙和栅极侧墙的双重侧墙结构形成精细的假栅极线条，并利用源极‑漏极‑源极的对称结构提高了器件加工的精度，整体上提高了器件可靠性，改进了性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，包括：在衬底中形成沟槽；在沟槽侧面形成第一偏移侧墙；在第一偏移侧墙的侧面依次形成假栅极以及第二偏移侧墙；以第一偏移侧墙、假栅极、第二偏移侧墙为掩模，执行离子注入并且随后退火，在衬底中形成源区和在沟槽底部形成漏区，其中源区关于漏区对称分布，源区顶部高于漏区顶部；去除假栅极，形成栅极沟槽，在栅极沟槽中填充形成栅极堆叠结构，其中栅极堆叠结构关于漏区对称分布。
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