[发明专利]高集成半导体存储器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体存储器件及其制造方法，半导体存储器件包括半导体衬底；有源区，所述有源区包括多个单位有源区，且被设置在半导体衬底之上以及与半导体衬底间隔开；字线对，所述字线对被形成在单位有源区的上表面和侧面上；虚设字线，所述虚设字线被设置在单位有源区的接触处，并被形成在单位有源区的上表面和侧面上；源极区域，所述源极区域被形成在字线对之间的单位有源区中，并与半导体衬底电连接；漏极区域，所述漏极区域被形成在字线对与虚设字线之间的单位有源区中；以及第一储存层，所述第一储存被形成在漏极区域上并与漏极区域电连接。

主权项

一种半导体存储器件，包括：半导体衬底；有源区，所述有源区包括多个单位有源区，并被设置在所述半导体衬底之上以及与所述半导体衬底间隔开；字线对，所述字线对被形成在所述单位有源区的顶表面和侧面上；虚设字线，所述虚设字线被设置在所述单位有源区的接触处，并形成在所述单位有源区的顶表面和侧面上；源极区域，所述源极区域被形成在所述字线对之间的单位有源区中，并与所述半导体衬底电连接；漏极区域，所述漏极区域被形成在所述字线对与所述虚设字线之间的单位有源区中；第一储存层，所述第一储存层被形成在所述漏极区域上并与所述漏极区域电连接；以及被插入在所述半导体衬底与所述有源区之间的绝缘层，其中，所述源极区域被形成为穿透所述绝缘层。