[发明专利]一种聚二苯基硅亚甲基硅烷复合薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210395860.0 | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102864418A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 宋仁国;王超;姜彦 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/12;C23C14/20 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 213164 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及有机硅聚合物基纳米复合薄膜，特指一种聚二苯基硅亚甲基硅烷复合薄膜的制备方法，包括TPDC单体薄膜的制备步骤、单体薄膜表面沉积金属纳米粒子的步骤和TPDC开环聚合成金属纳米粒子/PDPhSM复合薄膜的步骤，本发明所述的金属纳米粒子/聚二苯基硅亚甲基硅烷复合薄膜制备方法的有益效果主要体现在：（1）所述TPDC单体膜表面沉积的金属纳米粒子种类繁多，可以为各种金属；（2）所沉积的金属纳米粒子尺寸及形貌可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 苯基 甲基 硅烷 复合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种聚二苯基硅亚甲基硅烷复合薄膜的制备方法，包括TPDC单体薄膜的制备步骤、单体薄膜表面沉积金属纳米粒子的步骤和TPDC开环聚合成金属纳米粒子/ PDPhSM复合薄膜的步骤，其特征在于：所述单体薄膜表面沉积金属纳米粒子的步骤为：采用脉冲激光烧蚀技术将金属纳米粒子沉积在TPDC单体膜上，待沉积的金属作为靶材放置在靶托上，TPDC单体薄膜放置在衬底托上，激光烧蚀前，将反应腔体抽成1.33×10‑4 Pa高真空，在激光烧蚀反应的同时，向反应腔体中引入氦气作为环境气氛，以保持反应腔体中的环境压力恒定，其范围为13.3‑2666.4 Pa，激光波长为532 nm，激光能量密度为2.5‑5.0 J/cm2，重复频率为10 HZ，脉冲宽度为10 ns，激光束的光斑直径在靶上为3 mm，激光烧蚀沉积时间为5‑300 s，靶与衬底之间的距离为15‑45 mm。
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