[发明专利]一种半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201210396316.8 | 申请日： | 2012-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN102891135B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 贾璐;黄锦才 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括提供半导体基底，半导体基底表面形成有第一外延层；在第一外延层内形成标识结构；以标识结构为基准，在第一外延层内形成掺杂层；在第一外延层表面形成外延层，第二外延层内形成有标识结构，且与第一外延层内标识结构的位置相对应；以标识结构为基准，在第二外延层内形成掺杂层；其中，所述外延层形成时的工艺温度为900℃‑1200℃；和/或，所述外延层形成时的工艺压强为20Torr‑40Torr。利用本发明所提供的方法，能够保证各层外延层内形成的掺杂层在竖直方向上严格对齐，从而避免由于各层外延层内所形成的掺杂层在竖直方向上发生错位，而给半导体器件的击穿电压所带来的影响，提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面形成有第一外延层；在所述第一外延层内形成标识结构；以所述标识结构为基准，在所述第一外延层内形成掺杂层；在所述第一外延层表面形成第二外延层，所述第二外延层内形成有第一标识结构，且与所述第一外延层内标识结构的位置相对应；所述第一标识结构与所述第二外延层同时形成；以所述第一标识结构为基准，在所述第二外延层内形成掺杂层；其中，所述外延层形成时的工艺温度为900℃‑1200℃；和/或，所述外延层形成时的工艺压强为20Torr‑40Torr。
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