[发明专利]像素单元及主动矩阵式平面显示装置无效
| 申请号： | 201210397891.X | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102881249A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 王金杰 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/20 | 分类号： | G09G3/20;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种像素单元及主动矩阵式平面显示装置，该像素单元包括第一扫描线、第二扫描线和薄膜晶体管组，其中，薄膜晶体管组包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，薄膜晶体管组的寄生电容Cgd满足以下关系式：Cgd＝C1+C2；其中，C1和C2的变化趋势相反，变化量相同，使得Cgd值保持不变。通过以上方式，本发明克服了由于曝光的覆盖偏移导致各像素单元的寄生电容值不同而产生的显示缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 单元 主动 矩阵 平面 显示装置 | ||
【主权项】：
一种像素单元，其特征在于，所述像素单元包括：平行间隔设置的第一扫描线和第二扫描线；数据线，与所述第一扫描线和所述第二扫描线相交设置；像素电极，分别与所述第一扫描线、所述第二扫描线和所述数据线电连接；薄膜晶体管组，分别与所述第一扫描线、所述第二扫描线、所述数据线和所述像素电极电连接；其中，所述薄膜晶体管组包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述薄膜晶体管组的寄生电容Cgd满足以下关系式：Cgd=C1+C2；其中，C1为所述第一薄膜晶体管的栅极与漏极的重叠面积所产生的电容，C2为所述第二薄膜晶体管的栅极与漏极的重叠面积所产生的电容，且所述C1和C2的变化趋势相反，变化量相同，使得所述Cgd的值保持不变。
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