[发明专利]一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。本发明实施例的半导体器件的制造方法，仅需要进行一次金属填充和CMP工艺就可以实现局域互连，简化了制造工艺。并且，通过改变接触通孔刻蚀顺序以及引入蚀刻停止层和起平坦作用的第三介质层，优化了接触通孔刻蚀工艺，提高了形成接触通孔时的对准精度，提高了产品良率。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一和第二栅极、源极和漏极，以及位于所述源极和漏极的上方并位于所述栅极之间的第一层间介电层；步骤S102：在所述半导体衬底上依次形成覆盖所述半导体衬底的蚀刻停止层、第二层间介电层和硬掩膜层；步骤S103：对所述硬掩膜层进行刻蚀，在所述硬掩膜层上对应要形成第一接触沟槽和第二接触沟槽的位置分别形成开口，其中，所述第一接触沟槽位于所述源极或漏极的上方，所述第二接触沟槽位于所述漏极或源极以及所述栅极的上方；步骤S104：在所述半导体衬底上形成覆盖所述半导体衬底的第三介电层；步骤S105：在所述第三介电层上形成接触通孔图案掩膜，对要形成第一接触通孔和第二接触通孔的位置对应的所述第三介电层和所述第二层间介电层进行连续刻蚀，其中，对所述第二层间介电层的刻蚀停止于所述蚀刻停止层的上方，所述第一接触通孔位于所述源极或漏极的上方，所述第二接触通孔位于所述漏极或源极的上方；步骤S106：去除所述第三介电层；步骤S107：对所述半导体衬底进行刻蚀，形成所述第一接触通孔、第二接触通孔和第二接触沟槽，其中，所述第一接触通孔暴露出所述源极或漏极，所述第二接触通孔暴露出所述漏极或源极；所述第二接触沟槽直接停止于所述蚀刻停止层的上方；步骤S108：刻蚀掉所述蚀刻停止层位于所述第二接触沟槽底部的部分；步骤S109：在所述第一接触沟槽、第一接触通孔和第二接触沟槽、第二接触通孔内填充金属，并通过CMP工艺去除多余的金属。