[发明专利]一种半导体器件封装结构以及制备方法在审
| 申请号： | 201210399320.X | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103779234A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 杨志刚;陈林林;倪百兵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件封装结构以及制备方法，所述方法包括：提供具有顶部金属层和顶部通孔的金属叠层；在所述金属叠层上沉积第一钝化层，以覆盖所述顶部金属层；图案化所述第一钝化层，形成开口以露出所述顶部金属层；依次沉积第一金属阻挡层、第一焊盘金属层、第二金属阻挡层、第二焊盘金属层，以形成焊盘金属叠层，所述焊盘金属叠层通过所述开口与所述顶部金属层连接；图案化焊盘金属叠层，以露出所述第一钝化层；沉积第二钝化层，然后图案化第二钝化层，以露出所述焊盘金属叠层。本发明所述结构及方法很好的解决了目前焊盘在封装过程中产生裂纹以及损坏的问题，使后段制程中线结合焊盘更加稳定，进一步提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 封装 结构 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件封装结构的制备方法，包括：提供具有顶部金属层和顶部通孔的金属叠层；在所述金属叠层上沉积第一钝化层，以覆盖所述顶部金属层；图案化所述第一钝化层，形成开口以露出所述顶部金属层；依次沉积第一金属阻挡层、第一焊盘金属层、第二金属阻挡层、第二焊盘金属层，以形成焊盘金属叠层，其中，所述焊盘金属叠层通过所述开口与所述顶部金属层连接；图案化所述焊盘金属叠层，以露出所述第一钝化层；沉积第二钝化层，然后图案化所述第二钝化层，以露出所述焊盘金属叠层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
