[发明专利]超结半导体器件

摘要

提供了一种超结半导体器件，使用该半导体器件，击穿电压特性和电压降特性之间的权衡关系被显著改进，可能极大地改进元件周边部分的耐电荷性，且提高了长期的击穿电压可靠性。该超结半导体器件包括由构成超结半导体的n-型漂移区和p-型分隔区形成的平行pn层，这些pn层在施加有截止态电压时耗尽，且具有这样的结构：其中在围绕元件有源部分的环状元件周边部分中的第二平行pn层的重复节距小于元件有源部分中的第一平行pn层的重复节距，且元件周边部分包括在第二平行pn层表面上的低浓度n-型区，且在元件周边部分中的外周部分中的p-型分隔区的深度小于内周部分的p-型分隔区的深度。

主权项

一种超结半导体器件，包括：平行pn层，其中在具有维持截止态电压的主结的第一导电率半导体衬底的一个和另两个主表面之间的第一导电型漂移层具有由以交替接触方式设置的多个第一导电型漂移区和第二导电型分隔区形成的两个区，且p‑n结与所述两个区中的所述主表面垂直地并列，其中所述两个区各自的宽度使得当截止态电压被施加至所述主结时从所述两个区之间的所述pn结扩展到所述两个区中的耗尽层可耗尽所述漂移区，且所述两个区具有这样的结构：其中在围绕元件有源部分的环状元件周边部分中的第二平行pn层的重复节距间隔小于在所述元件有源部分中的第一平行pn层的重复节距间隔，主电流通过所述元件有源部分流动，所述环状元件周边部分包括覆盖所述第二平行pn层的所述表面的第一导电型表面层区，其杂质浓度低于所述漂移层的浓度，以及所述环状元件周边部分中的外周部分的第二导电型分隔区的深度小于内周部分的第二导电型分隔区的深度。